|
|
Měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Lang, Radek ; Šotner, Roman (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je popis dynamických parametrů polovodičových součástek. Dalším cílem je sestavení měřícího pracoviště, na kterém je možné provádět měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů. Práce také řeší návrh a výrobu univerzálního přípravku, na kterém jsou měření prováděna. Samotné měření je automatizované a jednotlivé přístroje připojené na přípravek jsou řízeny a výsledky zpracovávány počítačem.
|
|
|
Integrated temperature sensor bipolar core
Fránek, Jakub ; Prokop, Roman (oponent) ; Kledrowetz, Vilém (vedoucí práce)
The aim of this thesis is to describe the main possible ways of implementing a smart temperature sensor on a silicon chip in common CMOS process technologies and to design an analog front-end of a bipolar transistor based smart temperature sensor in TSMC 110 process technology. Techniques such as chopping, dynamic element matching or trimming have been utilized to design circuits whose simulated 3 measurement precision is ±3.5 °C untrimmed or ±0.6 °C after single point trim over the military temperature range. The designed circuits occupy as little as 0.012 mm squared of die area and their overall performance is comparable to the current state of the art.
|
|
|
Měření dynamických vlastností bipolárních tranzistorů
Repčík, Juraj ; Šteffan, Pavel (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
Cieľom bakalárskej práce je rozobrať teoretický základ merania bipolárnych tranzistorov. V prvom rade statické vlastnosti BJT, nastavenie jednosmerných napätí a prúdov v elektrickom obvode (pracovný bod). Ďalej rozoberá meranie vybraných dynamických vlastností zosilňovača s bipolárnym tranzistorom. Teoretické poznatky sú prezentované na praktickom zapojení a laboratórnom meraní týchto vlastností s pripojenými laboratórnymi meracími prístrojmi. Meranie je automatizované pomocou počítača s vývojovým prostredím LabVIEW. Sú vyvinuté užívateľské programy na zmeranie V-A charakteristík bipolárneho tranzistora a meranie dynamických vlastností zosilňovača. Práca poukazuje na výhodný spôsob vývoja programového vybavenia pre automatizovanie merania pomocou grafického programovania v LabVIEW.
|
|
|
Měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Lang, Radek ; Šotner, Roman (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je popis dynamických parametrů polovodičových součástek. Dalším cílem je sestavení měřícího pracoviště, na kterém je možné provádět měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů. Práce také řeší návrh a výrobu univerzálního přípravku, na kterém jsou měření prováděna. Samotné měření je automatizované a jednotlivé přístroje připojené na přípravek jsou řízeny a výsledky zpracovávány počítačem.
|
|
| |
|
|
Integrated Temperature Sensor Bipolar Core
Fránek, Jakub
Analog front-end of a bipolar transistor based smart temperature sensor was designed in 110 nm CMOS processing technology TSMC 110 and verified using simulation taking PVT variation into account. The analog front-end of the sensor achieves 3s inaccuracy of +-3.5 °C untrimmed or +-0.7 °C after single point trim over the military temperature range (-55 °C to 125 °C), requiring supply voltage of 2.7-3.63 V, consuming as little as 1μW at 1 S/s and taking up less than 0:012mm2.
|
|
|
Integrated temperature sensor bipolar core
Fránek, Jakub ; Prokop, Roman (oponent) ; Kledrowetz, Vilém (vedoucí práce)
The aim of this thesis is to describe the main possible ways of implementing a smart temperature sensor on a silicon chip in common CMOS process technologies and to design an analog front-end of a bipolar transistor based smart temperature sensor in TSMC 110 process technology. Techniques such as chopping, dynamic element matching or trimming have been utilized to design circuits whose simulated 3 measurement precision is ±3.5 °C untrimmed or ±0.6 °C after single point trim over the military temperature range. The designed circuits occupy as little as 0.012 mm squared of die area and their overall performance is comparable to the current state of the art.
|
|
|
Měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Lang, Radek ; Šotner, Roman (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je popis dynamických parametrů polovodičových součástek. Dalším cílem je sestavení měřícího pracoviště, na kterém je možné provádět měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů. Práce také řeší návrh a výrobu univerzálního přípravku, na kterém jsou měření prováděna. Samotné měření je automatizované a jednotlivé přístroje připojené na přípravek jsou řízeny a výsledky zpracovávány počítačem.
|
|
|
Měření dynamických vlastností bipolárních tranzistorů
Repčík, Juraj ; Šteffan, Pavel (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
Cieľom bakalárskej práce je rozobrať teoretický základ merania bipolárnych tranzistorov. V prvom rade statické vlastnosti BJT, nastavenie jednosmerných napätí a prúdov v elektrickom obvode (pracovný bod). Ďalej rozoberá meranie vybraných dynamických vlastností zosilňovača s bipolárnym tranzistorom. Teoretické poznatky sú prezentované na praktickom zapojení a laboratórnom meraní týchto vlastností s pripojenými laboratórnymi meracími prístrojmi. Meranie je automatizované pomocou počítača s vývojovým prostredím LabVIEW. Sú vyvinuté užívateľské programy na zmeranie V-A charakteristík bipolárneho tranzistora a meranie dynamických vlastností zosilňovača. Práca poukazuje na výhodný spôsob vývoja programového vybavenia pre automatizovanie merania pomocou grafického programovania v LabVIEW.
|
|
| |
host ::
RSS.